Samsung alcanza un hito tecnológico con un nuevo tipo de almacenamiento flash NAND que consume un 96% menos de energía, justo lo que necesitan los smartphones.

El desarrollo del almacenamiento flash DRAM y NAND de próxima generación es el fuerte de Samsung, y se informa que la compañía mostrará la tecnología LPDDR6 más nueva en la feria comercial CES del próximo año. Sin embargo, el gigante coreano ha logrado un logro asombroso en el desarrollo de un nuevo tipo de almacenamiento flash NAND que logra ahorros de consumo de energía del 96 por ciento. En resumen, los requisitos de memoria para los centros de datos de inteligencia artificial, teléfonos inteligentes y otras aplicaciones se están disparando, y con este crecimiento explosivo, los umbrales de consumo de energía flash NAND también aumentarán significativamente. Esta nueva tecnología es exactamente lo que la industria necesita, suponiendo que entre en producción antes.

La nueva tecnología de almacenamiento flash NAND contará con transistores ferroeléctricos, que ayudaron a romper varios récords de eficiencia energética

Un artículo co-escrito por 34 investigadores titulado ‘Transistor Ferroeléctrico para Memoria Flash NAND de Baja Potencia’ fue publicado en la revista académica de renombre mundial ‘Nature’. La investigación comenzó sobre los semiconductores de óxido, y Sedaly informó que estos no eran adecuados para los chips de alto rendimiento debido a su alto voltaje umbral. Afortunadamente, los investigadores descubrieron un revestimiento de plata en este atributo, que podría servir como catalizador para reducir el consumo de energía en el almacenamiento flash NAND con capas crecientes y capacidades más altas.

Al bloquear las corrientes más bajas que el voltaje umbral, se podría controlar la corriente de fuga y mejorar la eficiencia energética. Con el flash NAND, esta tecnología emplea una estructura de cadena de células donde los datos de almacenamiento de células están conectados en serie. A medida que aumenta el número de células, también lo hace el consumo de energía. Una razón para eso es que la fuga de corriente ocurre incluso después de que el interruptor de la celda está apagado. Además, a medida que aumenta la altura de la capa, también aumenta el consumo de energía para operaciones de lectura y escritura.

Los investigadores identificaron estas desventajas e introdujeron un mecanismo donde el flash NAND consume hasta un 96 por ciento menos de energía en comparación con los chips de almacenamiento tradicionales. El informe no menciona cuándo se puede comercializar la nueva tecnología, pero cuando ingresa a la producción en masa, las ventajas de eficiencia energética se disfrutarán en todos los ámbitos. Por ahora, debemos esperar a que lleguen los chips UFS 5.0 en los teléfonos inteligentes y otros dispositivos informáticos móviles mientras se mantienen los dedos cruzados y esperamos que Samsung no experimente ningún inconveniente no anunciado.

Fuente de noticias: Sedaly