Según se informa, la capacidad de 2 nm de TSMC está reservada hasta finales de 2026, y el avance tecnológico de la arquitectura GAA de la empresa es un atractivo punto de venta.

Se espera que la era de los 2nm comience el próximo año, con chipsets como el A20 y el A20 Pro de Apple siendo la fuerza impulsora en lo que respecta a la adopción de esta tecnología, y a la vanguardia de todo el proceso, tenemos TSMC. Se informó que el gigante de semiconductores taiwanés enfrentaba limitaciones tecnológicas con su proceso de 3nm, ya que empleaba el transistor de efecto de campo de fin (FinFET). Con la arquitectura Gate All-Around (GAA), TSMC tiene como objetivo mejorar los atributos del nodo de 2nm tanto en rendimiento como en eficiencia, lo que finalmente ha atraído a una gran cantidad de clientes para adoptar este proceso de fabricación.

Al pasar de FinFET a GAA, el proceso de 2 nm de TSMC puede ofrecer una mejora de rendimiento de entre el 10 y el 15 por ciento sobre el mismo consumo de energía e incluso mejores métricas de eficiencia

Anteriormente, se informó que dos de las plantas de 2 nm de TSMC estaban completamente registradas, y el fabricante requirió comenzar la construcción de tres instalaciones de producción adicionales para satisfacer la demanda, que es una empresa que requerirá una inversión estimada de $ 28.6 mil millones. Ahora, según United Daily News, todo el proceso de 2 nm de TSMC se ha reservado completamente para 2026, y se espera que la producción en masa comience a finales de año.

Varios clientes como Qualcomm, MediaTek, Apple, AMD y otros son clientes conocidos del proceso de 2nm, pero una de las principales razones por las que TSMC se ha encontrado con la gran demanda es que se informa que el fabricante de iPhone ha asegurado más de la mitad de la capacidad inicial para mantener a raya a la competencia. Se dice que el fabricante de obleas expande su producción mensual a 100.000 unidades a finales de 2026, lo que hace que la tecnología de vanguardia sea un importante impulsor para su crecimiento.

La ventaja de GAA en comparación con FinFET es que incorpora un método de apilamiento de nanoláminas, que hace que el control de corriente sea más preciso y, al mismo tiempo, reduce sustancialmente las fugas. Esto permite que el proceso de 2 nm entre una mejora de rendimiento del 10-15 por ciento sobre el mismo consumo de energía, o una reducción del 25-30 por ciento en el consumo de energía a un cierto nivel de rendimiento.

Se ha informado que Samsung comenzó la producción en masa de su proceso GAA de 2nm a principios de este año, pero las cifras de rendimiento, eficiencia y área reveladas no fueron tan extensas en comparación con el nodo GAA de 3nm más antiguo. Esto puede deberse a rendimientos “menos que optimizados”, y los números podrían mejorar con el tiempo.

A pesar de que el gigante coreano tiene una ventaja sobre TSMC, este último ha priorizado la calidad sobre la cantidad y el tiempo. Según los pronósticos, el gasto de capital de la firma taiwanesa en 2026 podría alcanzar entre $ 48 y $ 50 mil millones, marcando un nuevo récord, ya que apunta a contrarrestar las barreras tecnológicas.

Fuente de noticias: United Daily News