Surge un video del prototipo de ingeniería del Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 antes de su lanzamiento oficial, mostrando un nuevo empaquetado, puntuaciones de rendimiento mejoradas y más.

Un día antes de que comience la Cumbre de Snapdragon, un creador de contenido chino ha subido un prototipo de ingeniería con nada menos que el primer SoC de 2 nm de Qualcomm, el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. En el video, podemos aprender una multitud de especificaciones del conjunto de chips, sin mencionar su nuevo y avanzado empaque del SoC, y, por supuesto, sus puntajes de un solo núcleo y multinúcleo Geekbench 6.

El A20 Pro de Apple sigue siendo más rápido que el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en Geekbench 6, aunque este último supera por poco en el resultado multinúcleo

Ya se conocían algunas especificaciones de Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 antes de la fuga de video, como el nuevo clúster de CPU que está en la configuración “2 + 3 + 3”, donde dos núcleos tienen una frecuencia de 5.10GHz, seguidos de tres núcleos que operan a 4.00GHz, y por último, tenemos 3.74GHz. Es la primera vez en años que Qualcomm ha hecho un cambio en esta configuración, probablemente debido a la transición al proceso “N2P” mejorado de 2nm de TSMC y el nuevo embalaje del que hemos hablado a continuación.

Las velocidades de reloj más altas significan que el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 será bastante el resultado en puntos de referencia, y efectivamente, el usuario de Bilibili Nonx_Official subió las puntuaciones de un solo núcleo y multi-core de Geekbench 6. En cuanto a si el próximo SoC insignia de Qualcomm supera al A20 Pro de Apple en la misma prueba, tenemos buenas noticias y malas noticias. La mala noticia es que el A20 Pro sigue siendo el rey de los resultados de un solo núcleo, obteniendo 4.725 puntos y 12.575 en el resultado multinúcleo.

El prototipo de ingeniería del Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 alcanza los 4.327 puntos en puntuaciones de un solo núcleo y 12.873 en la categoría multinúcleo. La versión comercial del A20 Pro termina siendo un 9,2 por ciento más rápida, y dado que los prototipos de ingeniería siempre ofrecen puntuaciones de referencia más altas porque los SoC que se ejecutan en ellos operan con un límite de potencia más alto, los teléfonos inteligentes con el Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 probablemente obtendrán resultados aún más bajos de un solo hilo y múltiples hilos.

Si bien la última comparación muestra que el A20 Pro es el silicio para teléfonos inteligentes más rápido de Geekbench 6, esperamos que se obtengan resultados adicionales. En cuanto al Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, se puede ver en una de las imágenes que la compañía ha implementado un Heat Pass Block similar al que Samsung ha añadido al Exynos 2600. Es esencialmente un disipador de calor que transfiere el calor a un ritmo más rápido del SoC.

La DRAM de Samsung todavía se coloca en la parte superior del Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en lugar de colocarse en el lado como Apple lo ha hecho con el A20 Pro, por lo que tendremos que esperar y ver si Qualcomm cometió un error en su implementación. Para recordarle, la Cumbre de Snapdragon comienza mañana, por lo que cualquier detalle esquivo que no estuviera presente en este video estará disponible mañana.

Fuente de noticias: Bilibili